邮箱：liyang@watsons-china.com
研究领域：
阻变存储器
氧化物薄膜材料
器件模型
工作经历：
2022.1-今 助理研究员 尊龙凯时 - 人生就是搏!数理部微电子前沿基础研究室
2020.8-2021.11 博士后 以色列理工学院（Technion - Israel Institute of Technology）
教育背景：
2017.4-2020.8 丹麦技术大学（Technical University of Technology）博士
2013.9-2016.7 中科院微电子研究所 硕士 微电子学与固体电子学
2008.9-2012.6 河北工业大学 本科 电子科学与技术
荣誉与获奖：
2021 以色列理工大学优秀博士后奖学金
2020 丹麦技术大学能源学院优秀博士毕业生
2020 丹麦技术大学能源学院博士论坛 最佳口头报告
2018 英国化学皇家学会旅行基金 (PhD students and Early Career Scientists travel grants from Royal Society of Chemistry)
2019 FUSION国际会议 最佳海报奖
2018 克里斯蒂安和安妮·温德尔博基金会奖学金 (Christian and Anny Wendelbo’s Fund)
代表著作(*通讯作者)：
1. Li, Y.*, Kvatinsky, S., & Kornblum, L.* (2021). Harnessing Conductive Oxide Interfaces for Resistive Random-Access Memories. Frontiers in Physics, 9, 642. http://doi.org/10.3389/fphy.2021.772238
2. Li, Y., Suyolcu, Y. E., Sanna, S., Christensen, D. V., Traulsen, M. L., Stamate, E., Pedersen, C. S., Aken, P. A. van, Lastra, J. M. G., Esposito, V., & Pryds, N.* (2020). Tuning the resistive switching in tantalum oxide-based memristors by annealing. AIP Advances, 10, 65112. http://doi.org/10.1063/5.0004722
3. Li, Y., Sanna, S., Norrman, K., Valbjørn, D., Søndergaard, C., Maria, J., Lastra, G., Traulsen, M. L., Esposito, V., & Pryds, N.* (2019). Tuning the stoichiometry and electrical properties of tantalum oxide thin films. Applied Surface Science, 470(June 2018), 1071–1074. http://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.11.153
4. Li, Y., Long, S.*, Zhang, M., Wang, G., Wang, Y., Xu, X., Xu, D., Lv, H., Liu, Q., & Liu, M.* (2015). Improving the resistive switching reliability via controlling the resistance states of RRAM. 2015 IEEE 22nd International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2015-Augus, 552–555. http://doi.org/10.1109/IPFA.2015.7224456
5. Li, Y., Long, S.*, Liu, Y., Hu, C., Teng, J., Liu, Q., Lv, H., Suñé, J., & Liu, M.* (2015). Conductance quantization in resistive random access memory. Nanoscale Research Letters, 10(1), 420. http://doi.org/10.1186/s11671-015-1118-6
谷歌学术：http://scholar.google.com/citations?user=1FlZUHAAAAAJ&hl=en
招聘公告：
微电子前沿基础研究室诚聘助理研究员、博士后等科研序列人员，访问学生，从事电子器件建模、阻变存储器热电耦合分析、神经形态学计算等方面的研究。有意者请发简历至邮箱liyang@watsons-china.com。
