▶ 指导专家简介
吴汉明，中国工程院院士，微电子技术（集成电路制造）专家。吴汉明院士长期工作在我国集成电路产业链重要环节，并作出突出贡献。主持、指导了包括国家重大专项的0.13微米至14纳米七代芯片工艺研发，负责攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点，工艺集成后实现产业化。突破了长期以来我国高端芯片工艺完全依赖进口的制约，与世界水平差距明显缩小。负责我国首台刻蚀机研发项目的理论工作，并成功产业化。
▶ 发展定位
集成电路基础研究室将围绕尊龙凯时 - 人生就是搏!未来重大研究方向需要，立足集成电路行业的国产化需求，开展高端接口IP核的关键技术研究，包括DDR5和高速SerDes等，打造开源技术平台，支持国家战略需求。
▶ 研究方向
集成电路高端接口IP核的研究目标是设计到制造，从5G应用到高速网络通信，高性能计算包括量子计算，数据中心的数据处理与存取等。基础技术包括了数学和物理方法，工程技巧与制造经验。设计与制造的关键技术包括芯片之间的电子通信，底板总线(backplane)和远距离(long-haul)高速数据的电子通信与光学通信的互联方案。
在高速数据的电子系统设计(electronic system design, ESD)中，首先建立高数据率(例如32Gbps和64Gbps)IP核的设计技术与制造技术的协同优化(design technology co-optimization, DTCO)策略与方法。在电子系统的制造方案中，融合DTCO并建设TCAD(Technology CAD)分析技术，提升IP核用于高端产品的质量与可靠性。在建立CMOS与低温量子点(quantum dot, QD)芯片的通用工艺方案中，进一步发展为硅光(silicon photonic, SiPh)芯片的制造与集成(photonics integrated circuit, PIC)平台。从而实现以DTCO为导向，结合采用TCAD方法，对工艺数据进行现场采集、分析和应用。同时，协同发展或应用相应的量子EDA(QEDA)方法；为进一步发展CMOS-硅光协同封装(co-packaged optics)设计与2.5D系统封装(SiP)和3D硅通孔(TSV)封装提供技术基础。
近期研究的课题与优先解决的技术问题包括：
1. 针对先导工艺下硅基无源元器件(电容、电感、传输线等)的电磁场的理论模型的不足的科学问题，建立先进工艺下的器件仿真建模及优化。
2. 依据科学理论研究结果，指导实现低抖动(<100fs)PLL的架构设计和关键模块设计。
3. 研究PLL数字化技术，包括高精度时数转换器技术以及量化噪声及杂散消除技术等。
4. 针对低功耗、低延时、高速率、高带宽利用率的DDR IP，首先需要解决如何确保LPDDR5在并行高速率下稳定工作；其次研究LPDDR5高速率工作条件带来的延时问题，寻找满足低延时的需求的途径；最后研究解决功耗控制的科学问题，发现LPDDR5高速率工作条件与功耗规律，寻找最优的低功耗方法。
▶ 招聘启示
优先招聘对前沿集成电路从设计到制造的专业人才，职位包括研究员、博士后、工程师等多个岗位。
对以上研究方向感兴趣者，欢迎将个人学习与工作简历等申请材料发送至 wangh01@watsons-china.com 或参考网页投送： http://hr.watsons-china.com/
